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中文參數如下:
工廠包裝數量:1500
上升時間:12 ns
功率耗散:100 W
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TFP
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.12 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SK3387(TE24L,Q)的詳細信息,包括2SK3387(TE24L,Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!