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2SK3562(Q)

廠家：
  Toshiba
封裝：
 TO-220 SIS
數量：
 8919  
說明：
 MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm
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2SK3562(Q)-TO-220 SIS圖片

2SK3562(Q) PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：9.5 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：5 ns
功率耗散：400 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220 SIS
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.25 Ohms
漏極連續電流：6 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3562(Q)的詳細信息，包括2SK3562(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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