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中文參數如下:
工廠包裝數量:50
上升時間:11 ns
功率耗散:450 W
下降時間:110 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220 SIS
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.5 Ohms
漏極連續電流:5 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:900 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SK3742(Q)的詳細信息,包括2SK3742(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!