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中文參數如下:
上升時間:1.5 us
輸出設備:Phototransistor
每芯片的通道數量:1 Channel
最大正向二極管電流:25 mA
最大連續輸出電流:8 mA
絕緣電壓:2500 Vrms
下降時間:1.5 us
包裝形式:Tube
封裝形式:PDIP-8
最小工作溫度:0 C
最大工作溫度:+ 70 C
最大功率耗散:100 mW
最大輸入二極管電流:25 mA
最大反向二極管電壓:5 V
最大正向二極管電壓:1.7 V
最大波特率:1 MBps
電流傳遞比:18 %
RoHS:是
產品種類:高速光耦合器
制造商:Toshiba
以上是6N135(F)的詳細信息,包括6N135(F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!