7B-32.000MAAJ-T

晶體 32.000MHz 30ppm -20 +70C 18pF

7B-32.000MEEQ-T

晶體 32.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF

7B35-01-2

MODULE ISOL PROCESS I-IN NON-LIN

7B-36.000MAAJ-T

晶體 36.000MHz 30ppm -20 +70C 18pF

7B-36.000MEEQ-T

晶體 36.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF

7B-37.500MEEE-T

晶體 37.5MHz 10ppm -2 0 t o 70 C 10pF

7B-40.000MAAJ-T

晶體 40.000MHz 30ppm -20 +70C 18pF

7B-40.000MEEQ-T

晶體 40.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF

7B-48.000MAAJ-T

晶體 48.000MHz 30ppm -20 +70C 18pF

7B-48.000MEEQ-T

晶體 48.000MHz 10ppm -20 +70C 10pF

7B-50.000MAAJ-T

晶體 50MHz 30ppm 18pF -20C +70C

7B-8.000MAAJ-T

晶體 8MHz 30ppm 18pF -20C +70C