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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:2W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):690pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):38nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):105 毫歐 @ 3.4A,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):3.4A
漏源電壓(Vdss):55V
FET 功能:邏輯電平門
配置:2 個 P 溝道(雙)
技術:MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:HEXFET?
系列:管件
品牌:Infineon Technologies
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