AIMW120R045M1XKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO247-3
數量：: 1944
說明：: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3

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AIMW120R045M1XKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：228W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2130 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+20V，-7V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：57 nC @ 15 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 10mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：59 毫歐 @ 20A，15V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：52A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, CoolSiC?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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