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中文參數如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 毫歐 @ 4A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：4A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：850mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：940pF @ 10V
功率 - 最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
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