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中文參數如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 14A, 20V
漏極至源極電壓(Vdss)38V
Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C14A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 3800pF @ 20V
功率 - 最大3.1W
安裝類型表面貼裝
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