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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢復時間 (trr):19 ns
測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V
25°C 時 Td(開/關)值:16ns/122ns
柵極電荷:102 nC
輸入類型:標準
開關能量:307μJ(開),254μJ(關)
功率 - 最大值:290 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):109 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):65 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
IGBT 類型:PT
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:POWER MOS 8?
系列:管件
品牌:Microchip Technology
以上是APT36GA60SD15的詳細信息,包括APT36GA60SD15廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!