中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):370W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5400 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):290 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):120 毫歐 @ 18.5A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):37A(Tc)
漏源電壓(Vdss):400 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:POWER MOS V?
系列:散裝
品牌:Microsemi Corporation
以上是APT4012BVR的詳細信息,包括APT4012BVR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!