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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):833W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8140 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):320 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3.5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):35 毫歐 @ 35.2A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):95A(Tc)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:停產
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology
以上是APT94N65B2C6的詳細信息,包括APT94N65B2C6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!