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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:SP3
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:462W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):14400pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):300nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):95A
漏源電壓(Vdss):600V
FET 功能:超級結(jié)
配置:4 N 溝道(半橋)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:CoolMOS?
系列:托盤
品牌:Microchip Technology
以上是APTC60HM24T3G的詳細(xì)信息,包括APTC60HM24T3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!