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APTGF15H120T1G

廠家:
  Microsemi Corporation
封裝:
 SP1
數(shù)量:
 6498  
說(shuō)明:
 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
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APTGF15H120T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi))3.7V @ 15V, 15A
電流 - 集電極 (Ic)(最大)25A
電流 - 集電極截止(最大)250µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)1nF @ 25V
功率 - 最大140W
輸入標(biāo)準(zhǔn)型
配置全橋反相器
NTC 熱敏電阻是
安裝類型底座安裝

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