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APTGT30H60T3G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP3
數量：
 8649  
說明：
 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
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APTGT30H60T3G PDF參數資料

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中文參數如下：
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）1.9V @ 15V, 30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）50A
電流 - 集電極截止（最大）250µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)1.6nF @ 25V
功率 - 最大90W
輸入標準型
配置全橋反相器
NTC 熱敏電阻是
安裝類型底座安裝

以上是APTGT30H60T3G的詳細信息，包括APTGT30H60T3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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