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APTGT75DA120D1G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 D1
數(shù)量：
 342  
說明：
 IGBT 1200V 110A 357W D1
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APTGT75DA120D1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）2.1V @ 15V, 75A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）110A
功率 - 最大357W
輸入類型標(biāo)準(zhǔn)型
安裝類型底座安裝

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