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APTM100H80FT1G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP1
數量：
 909  
說明：
 MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
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APTM100H80FT1G PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型4 N 通道（半橋）
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C960 毫歐 @ 9A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C11A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 3876pF @ 25V
功率 - 最大208W
安裝類型底座安裝

以上是APTM100H80FT1G的詳細信息，包括APTM100H80FT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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