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中文參數如下:
FET 型2 個 N 溝道(雙)
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 毫歐 @ 200A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 10mA
閘電荷(Qg) @ Vgs1360nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C495A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 40000pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安裝類型底座安裝
以上是APTM10DUM02G的詳細信息,包括APTM10DUM02G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!