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中文參數如下:
FET 型2 個 N 溝道(雙)
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C684 毫歐 @ 8.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs187nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C17A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 5155pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類型底座安裝
以上是APTM120DSK57T3G的詳細信息,包括APTM120DSK57T3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!