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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:SP6
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:925W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):8400pF @ 1000V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):483nC @ 20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.4V @ 30mA(標(biāo)準(zhǔn))
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):12 毫歐 @ 150A,20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):220A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:6 N-溝道(3 相橋)
技術(shù):碳化硅(SiC)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology
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