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中文參數(shù)如下:
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封裝封裝/外殼:SP1
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:350W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3080pF @ 1000V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):190nC @ 20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.3V @ 2.5mA(標(biāo)準(zhǔn))
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):60 毫歐 @ 50A,20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):50A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1700V(1.7kV)
FET 功能:-
配置:2 N 溝道(相角)
技術(shù):碳化硅(SiC)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology
以上是APTMC170AM60CT1AG的詳細(xì)信息,包括APTMC170AM60CT1AG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!