AUIRF7665S2TR

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等距 SB
數量：: 7992
說明：: MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

一、本商品被瀏覽0次.

AUIRF7665S2TR PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：7.1 ns
工廠包裝數量：4800
功率耗散：30 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8.3 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET SB
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：62 mOhms
漏極連續電流：14.4 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是AUIRF7665S2TR的詳細信息，包括AUIRF7665S2TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：