BAS21E6433HTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT23
數(shù)量：: 6615
說明：: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23

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BAS21E6433HTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PG-SOT23
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：5pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：100 nA @ 200 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：50 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 200 mA
電流 - 平均整流 (Io)：250mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：200 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

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