BC635_D75Z_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 3969
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

一、本商品被瀏覽0次.

BC635_D75Z_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：1 W
集電極連續(xù)電流：1 A
封裝形式：TO-92
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：25 at 5 mA at 2 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
集電極—射極飽和電壓：45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：45 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BC635_D75Z_Q的詳細信息，包括BC635_D75Z_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：