BC637RL1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-92（TO-226）
數量：: 4140
說明：: 兩極晶體管 - BJT SS T092 HC XSTR NPN 60V

一、本商品被瀏覽0次.

BC637RL1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：200MHz
功率 - 最大值：625 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 150mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1 A
晶體管類型：NPN
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是BC637RL1G的詳細信息，包括BC637RL1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：