中文參數如下:
最大功率耗散:330 mW
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:250 at 100 mA at 1 V
增益帶寬產品fT:170 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流:0.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:45 V
集電極—基極電壓 VCBO:50 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是BC81740的詳細信息,包括BC81740廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!