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中文參數如下:
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:310 mW
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:420 at 2 mA at 5 V
增益帶寬產品fT:150 MHz
最大直流電集電極電流:0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
集電極—基極電壓 VCBO:30 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是BC859C的詳細信息,包括BC859C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!