BCM856BS,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-88
數量：: 5137
說明：: 兩極晶體管 - BJT COMPLEX DISCRETE S2022D/SOT45

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BCM856BS,115 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
集電極連續電流：- 100 mA
封裝形式：SC-88
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：290
增益帶寬產品fT：175 MHz
最大直流電集電極電流：- 200 mA
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 65 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

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