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BCR 112L3 E6327

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TSLP-3-4
數(shù)量：
 4554  
說明：
 TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3
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BCR 112L3 E6327-PG-TSLP-3-4圖片

BCR 112L3 E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
晶體管類型NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）4.7K
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）4.7K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)20 @ 5mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）300mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）-
頻率 - 轉(zhuǎn)換140MHz
功率 - 最大250mW
安裝類型表面貼裝

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