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BFG 19S E6327

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-SOT223-4
數(shù)量：
 1116  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon RF Trans
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BFG 19S E6327-PG-SOT223-4圖片

BFG 19S E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：1000 mW
集電極連續(xù)電流：0.1 A
封裝形式：SOT-223-4
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70 at 70 mA at 8 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：5500 MHz
最大直流電集電極電流：0.21 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：15 V
集電極—基極電壓 VCBO：20 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Infineon

以上是BFG 19S E6327的詳細信息，包括BFG 19S E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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