BFR193WH6327XTSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT323
數(shù)量：: 10544
說明：: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

一、本商品被瀏覽0次.

BFR193WH6327XTSA1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
功率 - 最大值：
封裝封裝/外殼：SC-70，SOT-323
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 30mA，8V
功率 - 最大值：580mW
增益：10.5dB ~ 16dB
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
頻率 - 躍遷：8GHz
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是BFR193WH6327XTSA1的詳細信息，包括BFR193WH6327XTSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：