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BSB028N06NN3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 MG-WDSON-2
數量：
 7211  
說明：
 MOSFET N-Channel 60V MOSFET
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BSB028N06NN3 G-MG-WDSON-2圖片

BSB028N06NN3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSB028N06NN3GXT BSB028N06NN3GXUMA1 SP000605956
典型關閉延遲時間：38 ns
上升時間：9 ns
功率耗散：78 W
最小工作溫度：- 40 C
柵極電荷 Qg：108 nC
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MG-WDSON-2
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.8 mOhms
漏極連續電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSB028N06NN3 G的詳細信息，包括BSB028N06NN3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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