BSC019N02KSGAUMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-1
數(shù)量：: 6318
說明：: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），104W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：13000 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：85 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 350μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.95 毫歐 @ 50A，4.5V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Ta），100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

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