BSC0921NDIATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TISON-8
數(shù)量：: 29362
說明：: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-PowerTDFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：1W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1025pF @ 15V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.9nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 20A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A，31A
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動
配置：2 N 溝道（雙）非對稱型
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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