BSC123N08NS3GATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-1
數(shù)量：: 7830
說明：: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），66W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1870 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：25 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 33μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：12.3 毫歐 @ 33A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Ta），55A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：80 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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