BSC265N10LSF G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON-8
數(shù)量：: 6363
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

一、本商品被瀏覽0次.

BSC265N10LSF G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGXT SP000379618
典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時間：24 ns
功率耗散：78 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0265 Ohms
漏極連續(xù)電流：6.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC265N10LSF G的詳細(xì)信息，包括BSC265N10LSF G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：