BSG0810NDIATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TISON-8
數(shù)量：: 4752
說(shuō)明：: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

一、本商品被瀏覽0次.

BSG0810NDIATMA1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-PowerTDFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 155°C（TJ）
功率 - 最大值：2.5W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1040pF @ 12V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 20A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19A，39A
漏源電壓（Vdss）：25V
FET 功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng)
配置：2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是BSG0810NDIATMA1的詳細(xì)信息，包括BSG0810NDIATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：