BSG0813NDIATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TISON-8
數量：: 5346
說明：: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

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BSG0813NDIATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
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封裝封裝/外殼：8-PowerTDFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 155°C（TJ）
功率 - 最大值：2.5W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1100pF @ 12V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 20A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：19A，33A
漏源電壓（Vdss）：25V
FET 功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅動
配置：2 N 溝道（雙）非對稱型
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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