BSM100GB120DLCK

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 34MM
數(shù)量：: 5819
說明：: IGBT 模塊 1200V 100A DUAL

一、本商品被瀏覽0次.

BSM100GB120DLCK PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：500
安裝風(fēng)格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：34MM
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：835 W
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：205 A
集電極—射極飽和電壓：2.1 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Dual
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是BSM100GB120DLCK的詳細(xì)信息，包括BSM100GB120DLCK廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

最新產(chǎn)品：