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BSM100GB120DN2KHOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 8703
說明：: IGBT MOD 1200V 145A 700W

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BSM100GB120DN2KHOSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：無
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：6.5 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：2 mA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，100A
功率 - 最大值：700 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：145 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：半橋
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是BSM100GB120DN2KHOSA1的詳細(xì)信息，包括BSM100GB120DN2KHOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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