中文參數如下：

工廠包裝數量：10
安裝風格：Screw
柵極/發射極最大電壓：20 V
封裝形式：EconoPACK 3A
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：1.25 KW
柵極—射極漏泄電流：320 nA
在25 C的連續集電極電流：200 A
集電極—射極飽和電壓：2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是BSM150GT120DN2的詳細信息，包括BSM150GT120DN2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

最新產品：

STD11N65M2

SI5338N-B11089-GM

SYS3637M07S-B

TBE1E101MCD1LT

AGFA027R31C3E3E

MT3504A-BP

501HCK-ACAG

ECX-P22CM-18.432

SW5-010180AN5NF

T498D106M035ZGE700