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BSM180D12P3C007

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 模塊
數(shù)量：
 4602  
說明：
 SIC POWER MODULE
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BSM180D12P3C007-模塊圖片

BSM180D12P3C007 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：175°C（TJ）
功率 - 最大值：880W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：900pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 50mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：180A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Rohm Semiconductor

以上是BSM180D12P3C007的詳細信息，包括BSM180D12P3C007廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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