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BSM25GD120DN2E3224BOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 8811
說明：: IGBT MOD 1200V 35A 200W

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BSM25GD120DN2E3224BOSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：無
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：1.65 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：800 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，25A
功率 - 最大值：200 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器
IGBT 類型：-
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是BSM25GD120DN2E3224BOSA1的詳細信息，包括BSM25GD120DN2E3224BOSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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