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BSM50GX120DN2

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 
數量：
 1756  
說明：
 IGBT 模塊
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BSM50GX120DN2 PDF參數資料

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中文參數如下：

最小工作溫度：- 55 C
柵極/發射極最大電壓：20 V
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：400 W
柵極—射極漏泄電流：200 nA
在25 C的連續集電極電流：78 A
集電極—射極飽和電壓：2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：3-Phase
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSM50GX120DN2的詳細信息，包括BSM50GX120DN2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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