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BSM75GAR120DN2HOSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 模塊
數量：
 8982  
說明：
 IGBT MOD 1200V 30A 235W
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BSM75GAR120DN2HOSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：無
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：1 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：400 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，15A
功率 - 最大值：235 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：單路
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態(tài)：停產
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是BSM75GAR120DN2HOSA1的詳細信息，包括BSM75GAR120DN2HOSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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