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BSO083N03MS G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 DSO
數量:
 7101  
說明:
 MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH
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BSO083N03MS G-DSO圖片

BSO083N03MS G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSO083N03MSGXT BSO083N03MSGXUMA1 SP000446064
典型關閉延遲時間:11.5 ns
工廠包裝數量:2500
功率耗散:1560 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:DSO
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):8.3 mOhms
漏極連續電流:11 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSO083N03MS G的詳細信息,包括BSO083N03MS G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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