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中文參數如下:
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封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:1.6W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1095pF @ 15V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):67 毫歐 @ 4.6A,4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4A
漏源電壓(Vdss):20V
FET 功能:邏輯電平門
配置:2 個 P 溝道(雙)
技術:MOSFET(金屬氧化物)
產品狀態:停產
包裝:OptiMOS?
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies
以上是BSO211PHXUMA1的詳細信息,包括BSO211PHXUMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!