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BSO211PNTMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-DSO-8
數(shù)量：
 5906  
說明：
 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO
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BSO211PNTMA1-PG-DSO-8圖片

BSO211PNTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：920pF @ 15V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：23.9nC @ 4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.7A
漏源電壓（Vdss）：20V
FET 功能：邏輯電平門
配置：2 個(gè) P 溝道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
品牌：Infineon Technologies

以上是BSO211PNTMA1的詳細(xì)信息，包括BSO211PNTMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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