BSO615C G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: DSO-8
數量：: 8152
說明：: MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR

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BSO615C G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311
典型關閉延遲時間：25 ns, 125 ns
上升時間：75 ns, 105 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：18 ns, 90 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DSO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：70 mOhms, 190 mOhms
漏極連續電流：3.1 A, - 2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

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