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BSO615NGHUMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-DSO-8
數(shù)量：: 5400
說明：: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

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BSO615NGHUMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：380pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.6A
漏源電壓（Vdss）：60V
FET 功能：邏輯電平門
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：SIPMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是BSO615NGHUMA1的詳細(xì)信息，包括BSO615NGHUMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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